SJ（超结）MOSFET采?基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降，在?压应?时优势尤其突出。常规VDMOS器件结构，RDs (ON )与BV是?盾的，当BV提高，EPI掺杂浓度减小时，导通电阻必然变?；而超级结是在提?NEPI掺杂浓度的同时，利?在NEPI中加?P柱，形成更?的PN结，在器件反偏时形成很厚的PN耗尽层，以达到?的隔离电压，从?使其RDs(oN）/BV打破原有VDMOS的极限。
| Part Number | VDS (V) | ID (A) 25℃ | PD(W) 25℃ | RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V)（Max） |
Qg(nC)(VGS=10V) （Typ） |
VGS(V) | VGS(th)(V) （Typ） |
Package | 是否符合车规要求 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RMA65R280SN-AU | 650 | 15 | 132 | 280 | 26 | 30 | 3.3 | TO-252 | 是 |
| RME65R280SN-AU | 650 | 15 | 158 | 280 | 26 | 30 | 3.3 | TO-263 | 是 |
| RMA65R380SN-AU | 650 | 11 | 118 | 380 | 19.2 | 30 | 3.3 | TO-252 | 是 |
| RMA65R650SN-AU | 650 | 7 | 63 | 650 | 13.3 | 30 | 3.3 | TO-252 | 是 |
| RMF60R038SF-AU | 600 | 70 | 694 | 38 | 191 | 30 | 4 | TO-247 | 是 |
| RMF60R074SF-AU | 600 | 47 | 368 | 74 | 98 | 30 | 3.5 | TO-247 | 是 |
| RME60R099SF-AU | 600 | 36 | 304.8 | 99 | 81 | 30 | 3.5 | TO-263 | 是 |
| RMF60R099SF-AU | 600 | 36 | 304.8 | 99 | 81 | 30 | 3.5 | TO-247 | 是 |
| RMF60R190SF-AU | 600 | 20 | 202 | 190 | 38.2 | 30 | 3.3 | TO-247 | 是 |
| RME60R190SF-AU | 600 | 20 | 202 | 190 | 38.2 | 30 | 3.3 | TO-263 | 是 |