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支持120W快充｜3D封装技术高集成电源芯片RM6620DS
来源：银河官方网站3868-(徐州)有限公司 发布时间：2021-02-28 阅读次数：
支持120W快充｜3D封装技术高集成电源芯片RM6620DS
■ 内置700V高压启动；
■ 集成X-CAP放电功能；
■ 内置650V 超结MOSFET；
■ 支持最大130KHz工作频率；
■ 内置特有抖频技术改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 低启动电流（2uA），低工作电流；
■ 集成斜坡补偿及高低压功率补偿；
■ 集成AC输入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保护；
■ 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。
芯片概述
RM6620DS是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片，内部集成了支持CCM/QR的反激式PWM控制器、650V超结MOSFET、超结MOS分段驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。
RM6620DS集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6620DS采用专有的分段驱动技术，搭配超结MOSFET改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6620DS本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。
RM6620DS同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护OCP，过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。
功能特点
■ 内置700V高压启动；
■ 集成X-CAP放电功能；
■ 内置650V 超结MOSFET；
■ 支持最大130KHz工作频率；
■ 内置特有抖频技术改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 低启动电流（2uA），低工作电流；
■ 集成斜坡补偿及高低压功率补偿；
■ 集成AC输入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保护；
■ 具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；
■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。
原理图
产品图
产品系列
| 型号 | 反馈形式 | 输出功率 | 封装 | 功率管 | 应用领域 |
| RM6620DS | SSR+QR | 120W | wQFN8*8 | 内置超结MOS |
PD/QC快速充电器 大功率适配器 TV电源 |